中瑞展阶（d）8×4器件阵列电阻的统计分布。
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计算了质量比电容可以看到在MgSO4电解液中，思创速VN电极的比电容为230 Fg-1，思创速远远优于Li2SO4 (120Fg-1)，Na2SO4 (100 Fg-1)和K2SO4 (70 Fg-1)，主要是由于二价金属离子(Mg2+)在氧化还原反应中是双电子转移，其理论电容较大。时代在进步，物联网龙设计也在进步，物联网龙为了追求便携、小型化和可穿戴的储能设备，就需要设计更加精进的模型才能受到大家的喜爱，作者接下来通过打印制作了由VN和MnO2交错电极组成的柔性微非对称超级电容器(MASCs)。
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对比相同阳离子浓度的各种中性水溶液电解质中VN的电化学性能，次提包括0.5 MLi2SO4，0.5 MNa2SO4，0.5 MK2SO4，1MMgSO4。中瑞展阶(b,c)InSe纳米片和纳米线的光学显微镜图。
思创速优异的光电响应特性表明所生长的硒化铟纳米线有望应用于未来的高性能光电探测。物联网龙(g)纳米线基光电器件的工作机理。
由于均相成核的随机性，头步汽-固法直接在硅基底上所生长的纳米线面临杂乱和随机取向生长的问题，头步这导致此方法所生长的纳米线很难与目前的电子电路进行有效集成。不同于传统的VLS方法，次提此方法克服了昂贵单晶衬底和晶格失配的挑战，同时避免了金属催化剂对所生长纳米线结构与性能的影响。
